삼성전자가 4일부터 6일까지(현지시간) 미국 산타클라라에서 열린 ‘FMS 2026’에 참가해 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O의 목업을 업계 최초로 공개하고 AI 시대의 메모리 기술 비전을 제시했다.

삼성전자, FMS 2026서 차세대 3D 메모리 \'zHBM · zNAND-O\' 최초 공개

이 날 삼성전자는 약 20평 규모의 전시 공간을 마련해 AI 클라우드 서버를 형상화한 부스를 선보였다. 전시관은 하이라이트, 클라우드 AI, 에지 AI 존으로 구성됐으며 D램부터 낸드, 스토리지까지 약 30개 제품을 통해 맞춤형 솔루션을 소개했다.

행사 첫날 이진엽 Flash개발실 부사장과 김경륜 D램개발실 상무는 기조연설을 통해 zHBM과 zNAND-O 등 3D 메모리 기반의 AI 시스템 성능 및 전력 효율 극대화 전략을 공유했다. 특히 이들은 400단 이상의 V10 BV-NAND를 업계 최초로 공개하며 기술 리더십을 강조했다.

zHBM은 기존 방식에서 나아가 AI 가속기 상단에 HBM을 수직으로 적층하는 차세대 아키텍처다. 데이터 이동 거리를 최소화해 HBM5 대비 최대 8배 높은 성능을 제공하며 전성비는 3배 향상시키고 열 저항은 절반 이상 낮춘 것이 특징이다.

삼성전자는 메모리와 가속기 사이 인터레이어에 맞춤형 IP를 추가해 용량 확장과 성능 최적화를 지원하는 zHBM의 설계 유연성을 강조했다. 아울러 고객사와의 협업을 통해 향후 AI 프로세서와 메모리 간 최적화를 가속화할 방침이다.

낸드 분야에서는 온디바이스 AI 환경에 최적화된 zNAND-O를 함께 선보였다. 이는 기존 V-NAND 적층 기술에 TSV 기술을 결합해 4단 또는 8단으로 패키징한 제품으로, 빠른 응답 속도를 바탕으로 실시간 대규모 데이터 처리를 지원한다.

이 날 공개된 10세대 V-NAND인 V10 BV-NAND는 400단 이상의 초고적층 구조를 구현했다. 웨이퍼 본딩과 3 스택 기술을 적용해 전 세대 대비 메모리 집적도를 58% 향상시켰으며 데이터 읽기·쓰기 속도도 대폭 개선했다.

이번 전시에는 HBM4E와 HBM5, LPDDR5X-PIM, 차세대 기업용 SSD인 PM1763 및 BM1773 등 고성능 컴퓨팅 최적화 솔루션도 대거 포함됐다. 특히 HBM5 목업에는 신규 열관리 기술인 HPB가 적용돼 눈길을 끌었다.

삼성전자는 메모리, 로직, 파운드리, 패키징을 모두 아우르는 원스톱 솔루션 기업으로서의 경쟁력을 앞세웠다. 향후에도 차별화된 통합 서비스를 통해 고객 맞춤형 AI 반도체 구현을 지원하고 기술 리더십을 강화할 계획이다.